IRF4905PBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
阈值电压3 V
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
阈值电压3 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |