IRFR5305TRPBF-HXY

本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压60V,提供高效稳定的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品,实现卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻72 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻72 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
其他
导通电阻(RDS(on))72mΩ@10V,10A
数量1个P沟道

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