IRLML2402TRPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻50 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻50 mΩ最大 · 1.8V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@1.8V |
| 数量 | 1个N沟道 |