MOSFET N-CH 20V 4.2A MICRO3

耐压20 V
连续漏极电流4.2 A
导通电阻45 mΩ
阈值电压1.2 V

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技术参数

耐压20 V
连续漏极电流4.2 ATA = 25°C
导通电阻45 mΩ最大 · VGS= 4.5V,ID= 4.2A
阈值电压1.2 V最大
环境与封装
PackageMicro3™ (SOT-23)
其他
ID4.2 A (Max) @ TA = 25°C
PD1.25 W (Max) @ TA = 25°C
RDS(on)0.045 Ω (Max) @ VGS= 4.5V, ID= 4.2A
TJ, TSTG-55 to + 150 °C
VDS20 V (Max)
VGS(th)1.2 V (Max)

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