IRLR024NTRPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流18 A
阈值电压3 V
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流18 A
阈值电压3 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |