LBSS138LT1G-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流250 mA
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流250 mA
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |