BORN(伯恩半导体)中国

MBR30200CT

单二极管

TO-220AB 200V Schottky diode

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反向耐压200 V
平均整流电流30 A
正向压降900 mV

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技术参数

反向耐压200 V
平均整流电流30 A
正向压降900 mV最大 · 15A
电源
反向电流(Ir)10uA@200V
整流电流30A
其他
正向压降(Vf)900mV@15A
直流反向耐压(Vr)200V

技术资料

数据手册数据手册 · 23.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 621.8 KB · 2026-09-21
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