MCR649AP-7

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技术参数

电源
di/dt-通态电流上升率	NA/us
IDRM-断态电流	5uA
IGT-直流门极触发电流	4mA
IH-保持电流	10mA
ITAV-通态平均电流	12.7A
VDRM-断态可重复峰值电压	500V
VGT-直流门级触发电压	3.5V
VTM-通态电压峰值	1.4V
环境与封装
封装类型1	TO3P
其他
引脚数量1	3

技术资料

该型号暂未收录资料。