MJ10020

单个双极晶体管

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技术参数

电源
IC-最大集电极电流	60A
VCBO-集基级击穿电压	300V
VCEO-集射级击穿电压	200V
VEBO-射基级击穿电压	8V
交流 / 直流特性
fT-变换频率	NMHZ
hFE-最小直流增益	75
环境与封装
封装类型1	TO3
其他
Pd-功率耗散	250W
VCE(sat)-集射级饱和压降	2.2V
引脚数量1	3

技术资料

该型号暂未收录资料。