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| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 0.1A |
| VCBO-集基级击穿电压 | 50V |
| VCEO-CE结击穿电压 | 50V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 50V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | NMHZ |
| hFE-最小直流增益 | 33 |
| Hfe-最小直流增益 | 33 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO236 |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 0.2W |
| Pd-最大功率耗散 | 0.2W |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 0.3V |
| 偏置电阻R1 | 1KΩ |
| 偏置电阻R2 | 10KΩ |
| 引脚数量1 | 3 |
| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 0.1A |
| VCBO-集基级击穿电压 | 50V |
| VCEO-CE结击穿电压 | 50V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 50V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | NMHZ |
| hFE-最小直流增益 | 33 |
| Hfe-最小直流增益 | 33 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO236 |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 0.2W |
| Pd-最大功率耗散 | 0.2W |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 0.3V |
| 偏置电阻R1 | 1KΩ |
| 偏置电阻R2 | 10KΩ |
| 引脚数量1 | 3 |