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技术参数

电源
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-集基级击穿电压50V
VCEO-集射级击穿电压50V
交流 / 直流特性
fT-变换频率250MHZ
hFE-最小直流增益24
环境与封装
封装类型1SOT23
其他
Pd-功率耗散0.2W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.3V
偏置电阻R110KΩ
偏置电阻R24.7KΩ
引脚数量13

技术资料

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