CBI(创基)中国

MMBTSA1256

单个双极晶体管
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技术参数

电源
Ic-最大集电极电流0.03A
IC-最大集电极电流0.03A
VCBO-CB结击穿电压30V
VCBO-集基级击穿电压30V
VCEO-CE结击穿电压20V
VCEO-集射级击穿电压20V
VEBO-EB结击穿电压5V
VEBO-射基级击穿电压5V
交流 / 直流特性
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益60
Hfe-最小直流增益60
环境与封装
封装类型1SOT23
其他
Pd-功率耗散0.2W
Pd-最大功率耗散0.2W
引脚数量13

技术资料

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