MMDT5401

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技术参数

电源
Ic-最大集电极电流0.2A
IC-最大集电极电流0.2A
VCBO-集基级击穿电压180V
VCEO-CE结击穿电压150V
VCEO-集射级击穿电压150V
VEBO-射基级击穿电压6V
交流 / 直流特性
fT-变换频率100MHZ
hFE-最小直流增益60
Hfe-最小直流增益60
环境与封装
封装类型1SOT363
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散0.2W
Pd-最大功率耗散0.2W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.2V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.2V
引脚数量16

技术资料

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