MMG35CB120X6TC

IGBT 模块
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技术参数

电源
IC(25℃)-最大集电极电流35A
IC-集电极直流电流(25℃)35A
VCE(sat)-集射极导通饱和电压1.85V
VCES-集射极阻断电压1200V
最大允许功耗214W
其他
Eoff-关断损耗能量3.03mJ
Eon-开通损耗能量NmJ
IGBT集成二极管0
Pd-功率耗散214W
Qg-栅极电荷NnC
VCE(sat)-集射级饱和压降1.85V
关断损耗能量3.03mJ
内置整流二极管0
内置整流桥堆0
单位温升0.6℃/W
开通损耗能量NmJ
栅极充电电荷NnC
隔离型IGBT0
集成整流桥堆0

技术资料

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