RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
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| 电源 | |
|---|---|
| Bias Voltage(V) | 50.0 |
| 交流 / 直流特性 | |
| Gain(dB) | 13.00 |
| Max Frequency(MHz) | 175 |
| Min Frequency(MHz) | 2 |
| 其他 | |
| Efficiency(%) | 40 |
| Pout(W) | 150.00 |
| Type | Die |
RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
| 电源 | |
|---|---|
| Bias Voltage(V) | 50.0 |
| 交流 / 直流特性 | |
| Gain(dB) | 13.00 |
| Max Frequency(MHz) | 175 |
| Min Frequency(MHz) | 2 |
| 其他 | |
| Efficiency(%) | 40 |
| Pout(W) | 150.00 |
| Type | Die |