FUXINSEMI(富芯森美)中国

MURS120T3G-FS

特性：适用于表面贴装应用。低轮廓表面贴装应用，以优化电路板空间。内置应力消除设计。超快速恢复时间，实现高效率。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。符合无卤要求

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反向耐压200 V

平均整流电流1 A

正向压降875 mV

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技术参数

反向耐压200 V

平均整流电流1 A

正向压降875 mV最大 · 1A

电源
整流电流	1A
其他
二极管配置	1个独立式
正向压降(Vf)	875mV@1A
直流反向耐压(Vr)	200V

技术资料

数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21 数据手册数据手册 · 730.7 KB · 2026-09-21

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