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PCGA300T65DF8M1

单 IGBT

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技术参数

电源
IC(25℃)-最大集电极电流300A
ICM-集电极峰值电流900A
VCES-集射极阻断电压650V
环境与封装
封装类型1Die
其他
Eoff-关断损耗能量NmJ
Eon-开通损耗能量NmJ
Qg-栅极电荷307nC
tf-下降时间38ns
VCE(sat)-集射级饱和压降1.25V
Vges-门极发射极耐压20V
Vge(th)-门极发射极阈值6.5
内置ESD保护二极管0
内置串联二极管0
引脚数量10
软开关0

技术资料