PN SILICON(智晶)中国

PM20N19CP

单 FET，MOSFET
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技术参数

电源
ID-最大漏极电流19A
VDSS-最大漏源电压20V
Vgs(th)-门槛电压1.3V
其他
Qg-栅极电荷NnC
Vgs-栅源耐压8V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0

技术资料

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