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技术参数

电源
ID-最大漏极电流31A
VDSS-最大漏源电压1200V
Vgs(th)-门槛电压4V
功耗系数0.6℃/W
峰值电流80A
最大峰值电流80A
最大漏源电流Id31A
漏源击穿电压Vdss1200V
门槛电压Vgs(th)4V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗98mΩ
最大漏源导通阻抗Ron98mΩ
环境与封装
封装类型1TO247
最大工作温度150℃
最小工作温度-55℃
其他
Ciss-输入等效电容950pF
Pd-功率耗散200W
Qg-栅极电荷62nC
引脚数量13
最大耗散功率Pd200W
栅极电荷Qg62nC
栅源耐压Vgs+25V
栅源耐压Vgs-10V
输入电容Ciss950pF

技术资料

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