RM3415
Rectron USA中国台湾

MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4 A
导通电阻45 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4 A
导通电阻45 mΩ最大 · 4A
阈值电压900 mV最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 10 V
MfrRectron USA
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4A, 4.5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

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技术资料

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