LRC(乐山无线电)中国

S-LPB8619DT1AG

单 FET，MOSFET
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技术参数

电源
ID-最大漏极电流7A
VDSS-最大漏源电压60V
环境与封装
封装类型1DFN3333
其他
Qg-栅极电荷NnC
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18

技术资料

数据手册数据手册 · 974.3 KB · 2026-09-22
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