S1M
HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

S1M

单二极管

该通用二极管采用SOD-123FL封装，具有高达1000V的反向耐压和1A正向电流处理能力。其1.1V正向导通电压VF确保了高效率及广泛应用性，适用于电源整流、过压保护及各类通用电路设计需求。

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反向耐压1 kV
平均整流电流1 A
正向压降1.1 V

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技术参数

反向耐压1 kV
平均整流电流1 A
正向压降1.1 V最大 · 1A
电源
整流电流1A
其他
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.1V@1A
直流反向耐压(Vr)1kV

器件图片

S1M实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 298.6 KB · 2026-10-06数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 205.9 KB · 2026-09-21
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