S8550W
MDD德国

S8550W

在产

Transistors 三极管 · general purpose small signal bipolar transistors

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技术参数

环境与封装
封装类型SOT-323
其他
BVCBO (V)-40
BVCEO (V)-25
BVEBO (V)-5
hHE (Max)400
hHE (Min)120
IC (mA)-500
PCM (mW)200
PolarityPNP
VBE(sat) (V)2TY
VCE(sat) (V)-0.6
数量 函数Single
零件编号S8550W

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技术资料