HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，在导通状态下能有效控制功耗；反向漏电流（IR）低至60μA，体现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换场合。凭借碳化硅材料的固有优势，该二极管在高频、高温运行环境中仍能保持稳定性能。