SINO-IC(光宇睿芯)中国

SE2102M

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:20V 电流:600mA

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流600 mA
导通电阻470 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流600 mA
导通电阻470 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA
其他
导通电阻(RDS(on))470mΩ@2.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 425.3 KB · 2026-09-21
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