台积电流片,长电科技封装;是一款单P通道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220;P—Channel沟道,-60V;-40A;RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流40 A
导通电阻74 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流40 A
导通电阻74 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)40A
其他
导通电阻(RDS(on))74mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料