SGM50PA12A4TFD

IGBT 模块
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技术参数

电源
IC(25℃)-最大集电极电流50A
IC-集电极直流电流(25℃)50A
VCE(sat)-集射极导通饱和电压1.95V
VCES-集射极阻断电压1200V
其他
Eoff-关断损耗能量NmJ
Eon-开通损耗能量NmJ
IGBT集成二极管1
Qg-栅极电荷NnC
VCE(sat)-集射级饱和压降1.95V
关断损耗能量NmJ
内置整流二极管1
内置整流桥堆1
单位温升N℃/W
宽62mm
宽度62mm
开通损耗能量NmJ
栅极充电电荷NnC
长122mm
长度122mm
隔离型IGBT0
集成整流桥堆1
高20.51mm
高度20.51mm

技术资料

该型号暂未收录资料。