SI2333
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): 12V 连续漏极电流(Id): 6A
耐压12 V
连续漏极电流6 A
导通电阻45 mΩ
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耐压12 V
连续漏极电流6 A
导通电阻45 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): 12V 连续漏极电流(Id): 6A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |