MSKSEMI(美森科)中国

SI2333CDS-T1-MS

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压18 V
连续漏极电流7 A
导通电阻22 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压18 V
连续漏极电流7 A
导通电阻22 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)18V
连续漏极电流(Id)7A
其他
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V,6.5A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 7.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 995.0 KB · 2026-09-21
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