VBsemi(微碧半导体)中国

SI2333DDS-T1-VB

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.8 A

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.8 A
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.8A
其他
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)1.6W

技术资料

数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-21
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