SP015N08GHTQ
晶体管 - FET，MOSFET - 单大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：150V，电流：110A,Rdson：8.2mR
沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流110 A
导通电阻8.2 mΩ
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沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流110 A
导通电阻8.2 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 110A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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