台积电流片,长电科技封装;是一款单P通道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252;P—Channel沟道,-60V;-50A;RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-3V;

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻35 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻35 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
其他
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V,40A
数量1个P沟道

技术资料