【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管最大漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值35mΩ。器件适用于低压电源管理、电池保护及负载开关电路。其适中的导通阻抗有助于平衡导通损耗与成本，适合便携式设备、消费电子及紧凑型电源模块中的功率控制应用，满足对空间布局和热性能有要求的设计需求。
连续漏极电流5 A
全部替代型号
查看完整报告技术参数
连续漏极电流5 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 其他 | |
| ID | 5A |
| RDON | 35mR |
| TYPE | P沟道 |
| VDSS | 20V |
【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管最大漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值35mΩ。器件适用于低压电源管理、电池保护及负载开关电路。其适中的导通阻抗有助于平衡导通损耗与成本，适合便携式设备、消费电子及紧凑型电源模块中的功率控制应用，满足对空间布局和热性能有要求的设计需求。
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 其他 | |
| ID | 5A |
| RDON | 35mR |
| TYPE | P沟道 |
| VDSS | 20V |