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技术参数

电源
Ic-最大集电极电流3A
IC-最大集电极电流3A
VCEO-CE结击穿电压30V
VCEO-集射级击穿电压30V
交流 / 直流特性
fT-变换频率120MHZ
hFE-最小直流增益80
Hfe-最小直流增益80
环境与封装
封装类型1TO252
其他
Pd-功率耗散15W
Pd-最大功率耗散15W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.8V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.8V
引脚数量13

技术资料

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