ST(先科)中国

STBD136T

单个双极晶体管
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技术参数

电源
Ic-最大集电极电流1.5A
IC-最大集电极电流1.5A
VCBO-CB结击穿电压45V
VCBO-集基级击穿电压45V
VCEO-CE结击穿电压45V
VCEO-集射级击穿电压45V
VEBO-EB结击穿电压5V
VEBO-射基级击穿电压5V
交流 / 直流特性
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益40
Hfe-最小直流增益40
环境与封装
封装类型1TO126
其他
Pd-功率耗散1.25W
Pd-最大功率耗散1.25W
引脚数量13

技术资料

该型号暂未收录资料。