STS6NF20V-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
连续漏极电流13 A
导通电阻8 mΩ
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沟道N 沟道
连续漏极电流13 A
导通电阻8 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 13A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,10A |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W |