STY140NS10-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单特性：沟槽功率MOSFET。 具有低热阻的新封装。 100% Rd测试
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流150 A
导通电阻6 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流150 A
导通电阻6 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
特性：沟槽功率MOSFET。 具有低热阻的新封装。 100% Rd测试
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |