Si2333DS-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款P型场效应管拥有5A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及30mΩ的典型内阻。其VGS为12V，适用于多种电子设备中，能够有效控制电流的流通与切断，确保电路的稳定运行。因其出色的性能和稳定性，广泛应用于各类电子系统中。(SI2333DS-T1-E3)
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流5 A
导通电阻60 mΩ
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流5 A
导通电阻60 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |