SiC10A120T

单二极管
查看国产替代问 AI FAE
反向耐压1.2 kV
平均整流电流27.5 A
正向压降1.8 V

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

反向耐压1.2 kV
平均整流电流27.5 A
正向压降1.8 V最大
电源
IFSM-正向峰值电流383A
IF-二极管正向电流27.5A
IF-最大正向平均电流10A
IR-反向漏电流10μA
IR-最大反向漏电流100μA
VRRM-反向重复峰值电压1200V
VRRM-反向重复电压1200V
环境与封装
封装类型1TO220
其他
CT-总电容Npf
Pd-功率耗散123W
PD-最大耗散功率123W
Qc-总电荷38nC
QC-总电荷38nC
TJ-最大工作结温175℃
VF-二极管导通压降1800mV
VF-正向压降2.3V
引脚数量12
肖特基二极管1

技术资料

该型号暂未收录资料。