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技术参数

电源
IC(25℃)-最大集电极电流4.2A
ICM-集电极峰值电流8.4A
VCES-集射极阻断电压900V
环境与封装
封装类型1TO220
其他
Eoff-关断损耗能量NmJ
Eon-开通损耗能量NmJ
Pd-功率耗散67.5W
Qg-栅极电荷16nC
tf-下降时间65ns
VCE(sat)-集射级饱和压降8V
Vges-门极发射极耐压30V
内置ESD保护二极管0
内置串联二极管0
引脚数量13
软开关0

技术资料

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