TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6

在产存储器

IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

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类型Flash
容量1 Gbit
接口并口
供电电压2.7 ~ 3.6 V

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技术参数

类型Flash
容量1 Gbit
接口并口
供电电压2.7 ~ 3.6 V
电源
Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V
环境与封装
Memory Size1Gbit
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C~85°C(TA)
PackageTray
Package / Case67-VFBGA
Supplier Device Package67-VFBGA (6.5x8)
其他
Access Time25 ns
Base Product NumberTC58BVG0
Memory FormatFLASH
Memory InterfaceParallel
Memory Organization128M x 8
Memory TypeNon-Volatile
MfrKioxia America, Inc.
Product StatusActive
SeriesBenand™
TechnologyFLASH - NAND (SLC)
Write Cycle Time - Word, Page25ns

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