TGAN60N60FD

单 IGBT
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技术参数

电源
Ic(100℃)-集电极直流电流60A
Ic(25℃)-集电极直流电流120A
Icm-集电极峰值电流180A
If-二极管正向电流30A
PD(25℃)-最大允许功耗347W
Vce(sat)-集射极导通饱和电压1.8V
Vces-集射极阻断电压600V
环境与封装
封装类型1TO3P
其他
Eoff-关断损耗能量1.53mJ
Eon-开通损耗能量2.66mJ
Qg-栅极充电电荷150nC
Tf-开关关断时间80ns
Vf-二极管导通压降1.9V
Vges-门极发射极耐压20V
引脚数量13
软开关0
集成ESD二极管0
集成串联二极管0

技术资料

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