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技术参数

电源
IC(100℃)-最大集电极电流75A
ICM-集电极峰值电流150A
IF-二极管正向电流75A
VCES-集射极阻断电压1200V
VRRM-反向重复峰值电压2V
环境与封装
隔离电压等级2500V
其他
Eoff-关断损耗能量3.6mJ
Eon-开通损耗能量5.6mJ
Pd-功率耗散476W
Qg-栅极电荷780nC
VCE(sat)-集射级饱和压降1.85V
Vge(th)-门极发射极阈值7.5V
内置整流二极管0
内置整流桥堆0
单位温升0.36℃/W
宽度62.8mm
长度56.8mm
隔离型IGBT0
高度16.8mm

技术资料

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