WNMD2160-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT23-6；2个N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻28 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻28 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V |
| 数量 | 2个N沟道 |