WNMD2160A

查看国产替代问 AI FAE

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
VDSS-最大漏源电压20V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗20mΩ
环境与封装
封装类型1SOT23
其他
Ciss-输入等效电容560pF
Pd-功率耗散1.37W
Qg-栅极电荷7.2nC
Vgs-栅源耐压12V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量16

技术资料

该型号暂未收录资料。