HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.38V，表现出较低的导通损耗。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。得益于碳化硅材料的特性，其在高频开关和高温工作条件下仍能维持稳定电气性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。