WNSC2D08650TJ

在产二极管 - 整流器 - 单5-DFN

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN

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反向耐压650 V
平均整流电流8 A
正向压降1.7 V
类型肖特基

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技术参数

反向耐压650 V
平均整流电流8 A
正向压降1.7 V最大 · 8 A
类型肖特基
电源
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction175°C
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case4-VSFN Exposed Pad
Supplier Device Package5-DFN (8x8)
其他
Base Product NumberWNSC2
Capacitance @ Vr, F260pF @ 1V, 1MHz
Diode TypeSilicon Carbide Schottky
MfrWeEn Semiconductors
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Series-
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)

技术资料

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