ZXMC6A09DN8TC-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
沟道N + P
耐压60 V
连续漏极电流5.3 A
导通电阻55 mΩ
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沟道N + P
耐压60 V
连续漏极电流5.3 A
导通电阻55 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.9A |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |