ZXMN6A09DN8TA-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
耐压60 V
连续漏极电流7 A
导通电阻30 mΩ
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耐压60 V
连续漏极电流7 A
导通电阻30 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 7A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 4W |