ZXMN6A11DN8-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款N+N型场效应管，具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于大多数应用需求。该元器件设计精良，性能稳定可靠，可广泛应用于各类电子系统中，为您的设备提供稳定的电流控制和高效的电源管理。(ZXMN6A11DN8TA)
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻48 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻48 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 数量 | 2个N沟道 |